中芯国际申请封装器件及其制备方法和电子设备专利显著降低封装器件在高低温过程中的翘曲风险

　　国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“封装器件、其制备方法和电子设备”的专利，公开号CN121487601A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种封装器件、其制备方法和电子设备，封装器件包括：至少一个互连芯片；第一导电层，包括位于互连芯片侧边的多个第一导电结构；多个填充伪结构，互连芯片与第一导电结构之间、以及相邻的两第一导电结构之间中的至少之一设置填充伪结构；重布线层，分别与互连芯片和第一导电结构电性连接；至少两个功能芯片，位于重布线层的背离互连芯片的一侧且分别与重布线层电性连接。本申请能够优化封装器件的性能和可靠性。本申请能够显著降低封装器件在高低温过程中的翘曲风险，降低翘曲间隙和形变，提升器件平整度。

　　天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线条，此外企业还拥有行政许可446个。

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